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실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스 특허 발명, 출원부터 등록까지, 절차, 방법, 심사, 특허권 효력, 그리고 양도

by 유레카 특허법률사무소2025.10.21조회수 78

 

 

 

 

 

 


 

 

 

 

 

 

1. 반도체 공정 기술, 실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스 특허 출원 방식
2. 반도체 공정 기술, 실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스 특허 출원 및 등록 요건
3. 반도체 공정 기술, 실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스 특허 심사
4. 반도체 공정 기술, 실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스 특허권 효력
5. 반도체 공정 기술, 실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스 특허 출원시 유의점
6. 반도체 공정 기술, 실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스 특허권의 양도 및 상속

 

 

 

 

 

 


 

 

1. 반도체 공정 기술, 실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스 특허 출원 방식

 

 

 

 

 

① 선행기술 조사

실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스와 같은 반도체 소재 기술을 출원하기 전에는 선행기술조사를 통해 기존 기술과의 차이를 확인해야 합니다.
국내외 특허, 논문, 기술 보고서 등을 검토하여 이미 공개된 기술이 있는지 살펴보고, 새로운 구성이나 효과가 있는지를 분석합니다.
예를 들어, 동일한 세정 조성이나 도핑 소스 구조가 존재하면 특허 등록이 어렵습니다.
이 과정을 통해 기술의 독창성을 명확히 하고, 이후 출원 전략을 구체화할 수 있습니다.

 

 

② 출원서 작성

출원 단계에서는 명세서와 청구항을 포함한 특허출원서를 작성합니다.
명세서에는 반도체 소재의 조성, 제조 공정, 반응 조건, 효과 등을 구체적으로 기재하고, 필요한 경우 도면을 첨부합니다.
청구항은 보호받고자 하는 기술의 범위를 정의하는 부분으로, 표현이 불명확하면 권리 보호가 약해질 수 있습니다.
따라서 기술의 핵심을 구체적으로 설명하되, 경쟁사의 회피 설계를 막을 수 있도록 명확하게 작성하는 것이 중요합니다.

 

 

③ 출원서 제출

작성한 서류를 지식재산처(前 특허청)에 제출하면 정식으로 출원일이 확정됩니다.
출원일은 권리의 우선순위를 결정하는 기준이 되며, 이후 동일하거나 유사한 기술이 공개되어도 출원인의 권리가 우선합니다.
출원서에는 발명의 명칭, 출원인과 발명자 정보, 명세서, 도면, 수수료 납부 내역이 포함됩니다.
이 단계에서 정확한 서류 제출과 절차 이행이 이루어져야 향후 심사 과정에서 불필요한 지연을 막을 수 있습니다.

 

 

④ 심사

출원 후에는 형식심사와 실체심사가 순차적으로 진행됩니다.
형식심사에서는 서류 요건과 절차 적합성을 확인하고, 실체심사에서는 신규성·진보성·산업적 이용가능성을 검토합니다.
예를 들어, 새로운 포토레지스트 조성이나 전구체 합성 기술이 기존 기술 대비 효과적으로 작용한다면 긍정적으로 평가됩니다.
심사 중 거절이유가 통지되면 의견서나 보정서를 제출해 기술적 차이와 효과를 설명해야 합니다.

 

 

⑤ 특허 등록

심사를 통과하면 등록결정이 내려지고, 출원인은 정해진 기한 내 등록료를 납부해야 합니다.
등록료 납부가 완료되면 특허권이 설정되어 해당 반도체 소재 기술은 법적으로 독점 보호를 받습니다.
등록된 특허는 특허공보에 공개되며, 이후 매년 연차료를 납부해야 권리가 유지됩니다.
이 단계까지 마치면 기술은 기업의 핵심 자산이 되어, 기술 이전, 라이선스 계약, 투자 유치 등 다양한 방식으로 활용될 수 있습니다.

 

 

 

 

 

 


 

 

2. 반도체 공정 기술, 실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스 특허 출원 및 등록 요건

 

 

 

 

 

① 신규성

실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스 기술이 특허로 인정받기 위해서는 신규성, 즉 이전에 공개되지 않은 완전히 새로운 기술이어야 합니다.
이미 논문, 특허, 학회 발표나 제품 형태로 알려진 기술과 동일하거나 유사하다면 등록이 어렵습니다.
예를 들어, 기존 포토레지스트 조성이나 웨이퍼 세정액의 성분이 그대로라면 신규성이 부정됩니다.
따라서 출원 전 선행기술조사를 통해 기존 기술과의 차이를 명확히 확인하고, 새로운 재료 조합이나 제조 공정을 구체적으로 제시하는 것이 중요합니다.

 


② 진보성

진보성이란 기존 기술을 단순히 바꾸거나 결합한 수준이 아니라, 전문가도 쉽게 생각할 수 없는 기술적 발전이 있어야 함을 의미합니다.
예를 들어, 기존 도핑 소스에 새로운 반응 제어 기술을 더해 불순물 분포를 균일하게 만들거나, 세정액에 새로운 첨가제를 적용해 잔여물을 줄인 경우 진보성이 인정됩니다.
단순한 조성 변경이나 조건 변경만으로는 등록이 어렵습니다.
즉, 기존 기술 대비 성능 향상, 효율 개선, 제조 안정성 강화 등 구체적인 기술적 효과가 입증되어야 합니다.

 

 

③ 산업적 이용 가능성

산업적 이용가능성이란 해당 기술이 실제 산업 현장에서 반복적으로 사용될 수 있는지를 의미합니다.
즉, 실험실 연구 수준이 아니라 실제 반도체 공정에 적용 가능한 기술이어야 합니다.
예를 들어, 포토마스크 패턴 정밀도를 높이거나 웨이퍼 세정 효율을 향상시켜 양산 공정에서 활용된다면 산업적 이용성이 충족됩니다.
이 요건은 기술이 실질적으로 제조·생산 단계에서 구현 가능하고, 산업 발전에 기여할 수 있음을 판단하는 기준입니다.

 

 

 

 

 


 

 

3. 반도체 공정 기술, 실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스 특허 심사

 

 

 

 

 

① 형식 심사

형식심사는 실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스 기술에 대한 특허출원 서류가 법적 요건을 충족했는지 확인하는 첫 단계입니다.
지식재산처(前 특허청)는 명세서, 청구항, 도면, 출원서 등이 규정에 맞게 작성되었는지를 검토합니다.
예를 들어, 기술 명칭이 불명확하거나 도면 부호가 맞지 않거나 수수료가 누락된 경우 보정명령이 내려집니다.
이 단계는 기술 내용을 판단하지 않고, 절차와 형식의 완전성을 확인하는 과정으로, 통과해야 다음 단계인 본격적인 기술 심사로 넘어갈 수 있습니다.

 


② 실체 심사

실체(실질)심사는 해당 기술이 특허 요건을 충족하는지 기술적으로 검토하는 핵심 단계입니다.
심사관은 신규성, 진보성, 산업적 이용가능성을 중심으로 기존 기술과의 차별성을 평가합니다.
예를 들어, 새로운 포토레지스트 조성이나 세정액의 화학 반응 메커니즘이 기존 대비 효율을 향상시켰다면 진보성이 인정될 수 있습니다.
거절이유가 통지되면 출원인은 의견서나 보정서를 제출해 기술적 차이와 효과를 명확히 설명해야 하며, 이를 통해 등록 가능성을 높일 수 있습니다.

 

 

③ 등록결정

출원인이 의견제출이나 보정 과정을 통해 거절이유를 해소하면 등록결정이 내려집니다.
이는 해당 반도체 소재 기술이 특허 요건을 모두 충족해 독점적 권리를 부여받을 수 있음을 의미합니다.
출원인은 지정된 기간 내에 등록료를 납부해야 하며, 이를 완료하면 특허권이 설정되어 법적 보호가 시작됩니다.
등록된 특허는 특허공보를 통해 공개되며, 이후 연차료를 납부해 권리를 유지할 수 있습니다.
이 단계까지 완료되면 기술은 기업의 자산으로 인정받아 연구개발의 결실로 보호됩니다.

 

 

 

 

 

 


 

 

4. 반도체 공정 기술, 실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스 특허권 효력

 

 

 

 

 

① 독점적 권리

실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스 기술이 특허로 등록되면 발명자는 그 기술을 독점적으로 사용할 수 있는 배타적 권리를 가지게 됩니다.
이는 동일하거나 유사한 반도체 소재, 조성, 제조 공정을 타인이 허락 없이 제조·판매·이용하지 못하도록 법적으로 보호받는다는 뜻입니다.
예를 들어, 특정 포토레지스트 조성물이나 도핑 소스 합성 기술을 독점적으로 활용할 수 있습니다.
이 권리를 통해 기업은 연구개발 성과를 안정적으로 보호하고, 시장 내에서 기술 주도권을 확보할 수 있습니다.

 

 

② 무단 사용 방지

특허권은 제3자가 허락 없이 기술을 사용하는 행위를 법적으로 금지할 수 있는 강력한 보호 장치입니다.
예를 들어, 동일한 전구체 합성 방법이나 세정액 조성을 무단으로 사용하면 특허침해에 해당합니다.
이 경우 특허권자는 침해자에게 손해배상이나 제조·판매 금지를 청구할 수 있습니다.
이 제도는 연구개발자의 권리를 지키고, 불공정한 기술 도용을 방지하여 정당한 경쟁 환경을 조성하는 중요한 역할을 합니다.

 

 

③ 라이선스 및 수익 창출

특허권은 단순히 기술을 보호하는 것을 넘어 지속적인 수익 창출 수단으로도 활용됩니다.
특허권자는 자사 기술을 다른 기업에 라이선스하거나 기술이전 계약을 체결해 로열티를 받을 수 있습니다.
예를 들어, 웨이퍼 세정 공정이나 포토마스크 제조 기술을 반도체 제조사에 제공해 협력적 수익 구조를 만들 수 있습니다.
이처럼 특허는 기업의 핵심 자산이자, 연구개발 투자 회수와 장기적 수익 확보를 위한 중요한 기반이 됩니다.

 

 

④ 보호 기간

특허권의 보호기간은 출원일로부터 20년간 유지되며, 이 기간 동안 발명자는 독점적으로 권리를 행사할 수 있습니다.
보호기간 중에는 매년 연차료를 납부해야 하며, 이를 미납하면 권리가 소멸될 수 있습니다.
20년이 지나면 해당 기술은 사회에 공개되어 누구나 자유롭게 사용할 수 있습니다.
이 제도는 발명자에게 일정 기간 기술 독점을 보장하면서도, 이후 기술 공유를 통해 산업 전반의 발전을 촉진하는 균형 잡힌 구조를 갖고 있습니다.

 

 

 

 

 

 

 


 

 

5. 반도체 공정 기술, 실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스 특허 출원시 유의점

 

 

 

 

 

 

 

① 선행기술조사 필수

실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스 기술을 출원하기 전에는 반드시 선행기술조사를 진행해야 합니다.
이미 공개된 기술이나 유사한 조성이 존재한다면 신규성이 부정되어 특허 등록이 어려워질 수 있습니다.
특히 반도체 분야는 공개 특허가 많기 때문에, 국내외 특허 DB와 논문을 면밀히 검토해야 합니다.
이 과정을 통해 기존 기술과의 차이를 미리 파악하고, 새롭게 개선된 공정이나 구조적 특징을 명확히 정리해 두는 것이 중요합니다.

 

 

② 기술 차별화 명확화

특허의 핵심은 기존 기술과의 명확한 차별성입니다.
예를 들어, 동일한 화합물이라도 반응 조건이나 불순물 제어 방식이 다르다면 기술적 차별성이 인정될 수 있습니다.
따라서 소재의 조성, 제조공정, 기능적 효과 중 어떤 부분에서 새로움이 있는지를 구체적으로 표현해야 합니다.
심사관이 명확히 구분할 수 있도록 기술적 특징을 수치, 공정 조건, 성능 개선 데이터 등으로 입증하는 것이 좋습니다.

 

 

③ 명확한 명세서 작성

명세서는 특허의 핵심 문서로, 권리 보호 범위를 결정하는 기준이 됩니다.
따라서 실리콘 소재나 도핑 소스의 제조 방법, 반응 조건, 효과 등을 구체적으로 기재해야 합니다.
설명이 모호하거나 누락된 부분이 있으면 권리 범위가 제한되거나 등록이 거절될 수 있습니다.
특히 기술의 구조와 작용 원리를 도면과 함께 명확히 표현하면, 향후 분쟁 시에도 효과적인 권리 보호가 가능합니다.

 

 

④ 실용성 강조

산업적 이용가능성을 입증하기 위해 기술의 실제 적용성과 효율성을 강조해야 합니다.
즉, 단순한 연구 단계가 아닌 생산 공정이나 제품 제조에서 활용 가능한 기술임을 보여주는 것이 중요합니다.
예를 들어, 웨이퍼 표면 세정 효율 향상, 포토레지스트 감광 성능 개선, 도핑 균일도 향상 등의 실질적 효과를 명시해야 합니다.
이러한 구체적 결과는 기술의 실용성과 시장성을 동시에 높여 특허 등록 가능성을 강화합니다.

 

 

⑤ 출원 전 공개 주의

특허는 ‘선출원주의’를 기반으로 하므로, 출원 전에 기술을 공개하면 보호받기 어렵습니다.
논문, 전시회, 제품 발표 등에서 내용을 먼저 공개하면 신규성이 상실되어 등록이 거절될 수 있습니다.
따라서 기술 발표나 외부 공유 전에 반드시 특허 출원을 완료해야 합니다.
출원 후에는 공개가 가능하며, 이를 통해 투자 유치나 기술 홍보를 안전하게 진행할 수 있습니다.

 

 

 

 

 

 


 

 

6. 반도체 공정 기술, 실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스 특허권의 양도 및 상속

 

 

 

 

 

① 양도

실리콘, 화합물, 웨이퍼, 기판, 포토레지스트, 포토마스크, 세정액, 전구체, 도핑 소스와 같은 반도체 기술의 특허권은 재산권처럼 양도할 수 있는 권리입니다.
즉, 특허권자는 해당 기술의 소유권을 다른 개인이나 기업에 매매, 이전 계약 등의 형태로 넘길 수 있습니다.
양도 시에는 지식재산처(前 특허청)에 양도 계약서를 제출해 권리 이전을 등록해야 효력이 발생합니다.
등록이 완료되면 새로운 권리자가 법적 보호를 받게 되며, 기존 권리자는 해당 기술에 대한 사용권을 잃게 됩니다.
이를 통해 기업은 기술거래, 투자유치, 인수합병 등 다양한 방식으로 특허를 전략적 자산으로 활용할 수 있습니다.

 


② 상속

특허권은 상속이 가능한 무형 재산권으로, 권리자가 사망한 경우 그 권리는 법정 상속인에게 승계됩니다.
예를 들어, 연구자가 개발한 포토레지스트 조성물이나 도핑 소스 합성 기술의 특허가 있다면, 해당 특허는 상속 대상이 됩니다.
상속인은 상속 절차를 거쳐 지식재산처에 상속 이전 등록을 해야 공식적인 권리자가 됩니다.
등록 후에는 상속인이 특허를 직접 활용하거나, 타인에게 라이선스 또는 양도 계약을 체결할 수 있습니다.
이처럼 특허권은 사망 이후에도 가치를 유지하며, 기술의 경제적 이익을 후대에 이어주는 자산으로서 중요한 의미를 가집니다.

 

 

 

 

 

 


 

 

 

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